FLASH_PageEraseAndWrite on CLing

PUYA FLASH — 页擦除与写入（HAL 库）

Tue, 08 Sep 2026 14:52:21 +0800

FLASH — 页擦除与写入（HAL 库）

固件库: PY32F0xx_Firmware V1.5.0
芯片: PY32F030
源文件: PUYA/PY32F0xx_Firmware_V1.5.0/Projects/PY32F030-STK/Example/FLASH/FLASH_PageEraseAndWrite/Src/main.c

功能简介

MCU 的内部 Flash 不仅能存放程序，也可以像 EEPROM 一样保存掉电不丢失的用户数据（配置参数、校准值、计数器等）。

PY32F0xx 的 Flash 写入有铁律：只能把 1 写成 0，不能把 0 写成 1；要改数据必须先整页擦除（擦除后全为 0xFF）。本示例完整演示标准流程：

等待用户按键（避免每次上电都擦写，延长 Flash 寿命）；
解锁 Flash；
页擦除 目标地址；
校验空白（应为 0xFFFFFFFF）；
按页编程 写入 64 个 32 位数据；
加锁 Flash；
回读校验，一致则点亮绿灯。

目标地址 FLASH_USER_START_ADDR = 0x08004000（避开存放用户代码的前几页）。DATA[64] 为待写入的 256 字节测试数据。

硬件准备

PY32F030 开发板
板载 LED 与用户键（用于触发与指示）
注意：此操作会改写 Flash 内容，务必确保 0x08004000 之后没有你的程序/数据，否则可能被覆盖！

完整代码

#include "main.h"
#include "py32f030xx_Start_Kit.h"

#define FLASH_USER_START_ADDR   0x08004000   /* 用户数据起始地址（避开代码区） */

const uint32_t DATA[64] = { /* 256 字节测试数据，略 */ };

int main(void)
{
  HAL_Init();
  BSP_PB_Init(BUTTON_KEY, BUTTON_MODE_GPIO);
  BSP_LED_Init(LED_GREEN);
  APP_SystemClockConfig();          /* 系统时钟：HSI 24MHz */

  /* 等用户按键，防止每次复位都擦写 Flash */
  while (BSP_PB_GetState(BUTTON_USER)) {}

  HAL_FLASH_Unlock();               /* 1. 解锁 Flash（写/擦前必须） */
  APP_FlashErase();                 /* 2. 页擦除 */
  APP_FlashBlank();                 /* 3. 校验是否为空白（全 0xFF） */
  APP_FlashProgram();               /* 4. 按页编程写入 */
  HAL_FLASH_Lock();                 /* 5. 加锁 Flash */
  APP_FlashVerify();                /* 6. 回读校验 */

  BSP_LED_On(LED_GREEN);            /* 成功：绿灯常亮 */
  while (1) {}
}

/* 页擦除 */
static void APP_FlashErase(void)
{
  uint32_t PAGEError = 0;
  FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {0};

  EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGEERASE;     /* 页擦除 */
  EraseInitStruct.PageAddress = FLASH_USER_START_ADDR;         /* 起始页地址 */
  EraseInitStruct.NbPages     = sizeof(DATA) / FLASH_PAGE_SIZE;/* 需要擦除的页数 */
  if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK)
    APP_ErrorHandler();   /* PAGEError 为出错页地址，成功则 0xFFFFFFFF */
}

/* 按页编程：每次写一整页 FLASH_PAGE_SIZE 字节 */
static void APP_FlashProgram(void)
{
  uint32_t flash_program_start = FLASH_USER_START_ADDR;
  uint32_t flash_program_end   = FLASH_USER_START_ADDR + sizeof(DATA);
  uint32_t *src = (uint32_t *)DATA;

  while (flash_program_start < flash_program_end)
  {
    /* 注意：PY32F0xx 以“页”为编程单位（FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE） */
    if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE, flash_program_start, src) == HAL_OK)
    {
      flash_program_start += FLASH_PAGE_SIZE;  /* 源/目的指针同步推进一页 */
      src += FLASH_PAGE_SIZE / 4;
    }
  }
}

/* 校验擦除后是否为空白 */
static void APP_FlashBlank(void)
{
  uint32_t addr = 0;
  while (addr < sizeof(DATA))
  {
    if (0xFFFFFFFF != HW32_REG(FLASH_USER_START_ADDR + addr))
      APP_ErrorHandler();   /* 非空说明擦除失败 */
    addr += 4;
  }
}

/* 回读校验写入是否正确 */
static void APP_FlashVerify(void)
{
  uint32_t addr = 0;
  while (addr < sizeof(DATA))
  {
    if (DATA[addr / 4] != HW32_REG(FLASH_USER_START_ADDR + addr))
      APP_ErrorHandler();
    addr += 4;
  }
}

代码分段讲解

1. 解锁与加锁

Flash 是“危险”资源，HAL 默认禁止写。任何擦/写前必须 HAL_FLASH_Unlock()，操作完 HAL_FLASH_Lock() 重新保护。忘记解锁会直接返回错误。

2. 擦除单位：页（Page）

PY32F0xx Flash 以页为单位擦除（每页大小由 FLASH_PAGE_SIZE 定义，不同容量芯片不同，常见 1KB/2KB）。不能只擦一个字节——擦除会把整页恢复成 0xFF。

3. 编程单位

本系列 HAL_FLASH_Program 使用 FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE（按页写入），一次把一整页数据烧入。写入前该页必须已擦除。

4. 为什么要等按键

Flash 有擦写寿命（约 1 万次）。若程序一上电就擦写，反复复位会迅速耗尽寿命。正式用法应在“确实需要保存新数据”时才写，并尽量** wear leveling**（磨损均衡）。

5. 地址安全

0x08004000 要位于用户代码占用区之后。查看工程链接脚本（.ld / Option Bytes）确认你的程序大小，避免覆盖。

实验现象

按用户键后开始擦写；
成功回读一致，绿灯常亮；任一环节失败则卡在 APP_ErrorHandler（可加 LED 提示定位）。

常见问题

HAL_FLASH_Program 返回错误？
- 目标页未先擦除（仍有 0）→ 必须先 HAL_FLASHEx_Erase。
- 未调用 HAL_FLASH_Unlock()。
数据回读不对？
- 编程地址与读取地址不一致；或 src 指针推进量算错（应 FLASH_PAGE_SIZE/4 个 32 位）。
- 写入单位（FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE）与页大小不匹配。
程序跑飞/变砖？
- 写入地址覆盖了中断向量表或代码区。务必选在代码末端之后的空闲页；必要时先备份。
想存少量参数？
- 不必每次整页擦。可把一页划成“多槽”，每次找空白槽追加写，写满再整页擦（磨损均衡）。

小结

Flash 操作流程固定：解锁 → 页擦除 →（校验空白）→ 编程 → 加锁 → 回读校验。
核心规则：先擦后写、按页操作、擦除即整页 0xFF。
操作有寿命限制，不可频繁擦写，注意地址安全与磨损均衡。

拓展应用

保存用户配置（如校准系数、设备 ID、工作模式）实现掉电记忆。
实现简易“EEPROM 模拟”：一页多槽 + 磨损均衡。
配合“bootloader”做固件备份/升级（双 bank）。
存运行计数/累计时长等需掉电保留的统计量。

PUYA FLASH — Flash_PageEraseAndWrite

Tue, 08 Sep 2026 14:52:21 +0800

FLASH — Flash_PageEraseAndWrite

固件库: PY32F403_Firmware V1.4.5
芯片: PUYA
源文件: PUYA/PY32F403_Firmware_V1.4.5/Projects/PY32F403-STK/Example/FLASH/Flash_PageEraseAndWrite/Src/main.c

功能简介

本示例演示内部 Flash 的读写操作。MCU 的 Flash 不仅能存储程序代码，还可以当作 EEPROM 使用，保存掉电不丢失的用户数据。

完整代码

1
2

#include "main.h"
#define FLASH_USER_START_ADDR     0x08008000

代码讲解

代码结构清晰，主要包含外设初始化配置和主循环中的功能逻辑。请结合注释理解每一步的含义。

PUYA FLASH — FLASH_PageEraseAndWrite

Tue, 08 Sep 2026 14:52:21 +0800

FLASH — FLASH_PageEraseAndWrite

固件库: PY32F002B_Firmware V1.2.1
芯片: PUYA
源文件: PUYA/PY32F002B_Firmware_V1.2.1/Projects/PY32F002B-STK/Example/FLASH/FLASH_PageEraseAndWrite/Src/main.c

功能简介

本示例演示内部 Flash 的读写操作。MCU 的 Flash 不仅能存储程序代码，还可以当作 EEPROM 使用，保存掉电不丢失的用户数据。

完整代码

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2
3

#include "main.h"
#define FLASH_USER_START_ADDR     0x08002000
typedef struct

代码讲解

代码结构清晰，主要包含外设初始化配置和主循环中的功能逻辑。请结合注释理解每一步的含义。

PUYA FLASH — FLASH_PageEraseAndWrite

Tue, 08 Sep 2026 14:52:21 +0800

FLASH — FLASH_PageEraseAndWrite

固件库: PY32L020_Firmware V1.2.1
芯片: PUYA
源文件: PUYA/PY32L020_Firmware_V1.2.1/Projects/PY32L020-STK/Example/FLASH/FLASH_PageEraseAndWrite/Src/main.c

功能简介

本示例演示内部 Flash 的读写操作。MCU 的 Flash 不仅能存储程序代码，还可以当作 EEPROM 使用，保存掉电不丢失的用户数据。

完整代码

1
2
3

#include "main.h"
#define FLASH_USER_START_ADDR     0x08002000
typedef struct

代码讲解

代码结构清晰，主要包含外设初始化配置和主循环中的功能逻辑。请结合注释理解每一步的含义。

PUYA FLASH — 页擦除与写入（LL 库）

Tue, 08 Sep 2026 14:52:21 +0800

FLASH — 页擦除与写入（LL 库）

HAL vs LL：PUYA 固件库提供 HAL 和 LL 两套 API。

HAL 库：封装度高，可移植性强，适合快速开发

LL 库：接近寄存器操作，代码精简效率高，适合性能敏感场景本文使用 LL 库版本。

固件库: PY32F0xx_Firmware V1.5.0
芯片: PY32F030（PY32F002A / F003 同库可参考）
源文件: PUYA/PY32F0xx_Firmware_V1.5.0/Projects/PY32F030-STK/Example_LL/FLASH/FLASH_PageEraseAndWrite/Src/main.c

功能简介

本示例演示如何安全地改写片内 Flash：向 0x08004000 起始的用户区写入一段 64 字的测试数据，掉电后仍可保留。完整流程是：解锁 Flash → 配置编程时序 → 页擦除 → 校验空白 → 按页编程 → 加锁 → 回读校验。按键用于避免每次上电都擦写。

与 HAL 版（HAL_FLASH_Unlock / HAL_FLASH_Program / HAL_FLASH_Lock + FLASH_EraseInitTypeDef）相比，LL 版把“每次擦除/编程都要等 BUSY、置/清 EOP、使能/关闭页操作”这些细节完全摊开——更接近 Flash 控制器的真实寄存器时序。

硬件准备

PY32F030 开发板
板载用户按键（BUTTON_USER）、绿 LED
注意：0x08004000 是用户 Flash 区，务必确认没有被你的程序占用（否则会破坏自身代码）

完整代码

#include "main.h"
#include "py32f030xx_ll_Start_Kit.h"

#define FLASH_USER_START_ADDR   0x08004000

const uint32_t DATA[64] = {
  0x01010101, 0x23456789, 0x3456789A, 0x456789AB, /* ... 共 64 字 ... */
  0x23456789, 0xAAAAAAAA, 0x55555555, 0x23456789
};

static void APP_SystemClockConfig(void);
static void APP_FlashErase(void);
static void APP_FlashProgram(void);
static void APP_FlashBlank(void);
static void APP_FlashVerify(void);

int main(void)
{
  APP_SystemClockConfig();

  LL_APB1_GRP2_EnableClock(LL_APB1_GRP2_PERIPH_SYSCFG);
  LL_APB1_GRP1_EnableClock(LL_APB1_GRP1_PERIPH_PWR);

  BSP_LED_Init(LED_GREEN);
  BSP_PB_Init(BUTTON_USER, BUTTON_MODE_GPIO);

  while (BSP_PB_GetState(BUTTON_USER)) {}   /* 等按键，避免每次上电都擦写 */

  LL_FLASH_Unlock(FLASH);                    /* 解锁 Flash */
  LL_FLASH_TIMMING_SEQUENCE_CONFIG_24M();    /* 按 24MHz 配置编程时序 */

  APP_FlashErase();     /* 页擦除 */
  APP_FlashBlank();     /* 校验空白 */
  APP_FlashProgram();   /* 写数据 */
  LL_FLASH_Lock(FLASH); /* 加锁 */

  APP_FlashVerify();    /* 回读校验 */
  BSP_LED_On(LED_GREEN);
  while (1) {}
}

/**
  * @brief  页擦除：逐页擦到覆盖完数据区
  */
static void APP_FlashErase(void)
{
  uint32_t start = FLASH_USER_START_ADDR;
  uint32_t end   = FLASH_USER_START_ADDR + sizeof(DATA);
  while (start < end)
  {
    while (LL_FLASH_IsActiveFlag_BUSY(FLASH) == 1);   /* 等不忙 */
    LL_FLASH_EnableIT_EOP(FLASH);                     /* 使能结束中断标志 */
    LL_FLASH_EnablePageErase(FLASH);                  /* 进入页擦除模式 */
    LL_FLASH_SetEraseAddress(FLASH, start);           /* 设置擦除地址 */
    while (LL_FLASH_IsActiveFlag_BUSY(FLASH) == 1);   /* 等擦完 */
    while (LL_FLASH_IsActiveFlag_EOP(FLASH) == 0);    /* 等 EOP */
    LL_FLASH_ClearFlag_EOP(FLASH);
    LL_FLASH_DisableIT_EOP(FLASH);
    LL_FLASH_DisablePageErase(FLASH);
    start += FLASH_PAGE_SIZE;                         /* 指向下一页 */
  }
}

/**
  * @brief  按页编程
  */
static void APP_FlashProgram(void)
{
  uint32_t start = FLASH_USER_START_ADDR;
  uint32_t end   = FLASH_USER_START_ADDR + sizeof(DATA);
  uint32_t *src = (uint32_t *)DATA;
  while (start < end)
  {
    while (LL_FLASH_IsActiveFlag_BUSY(FLASH) == 1);
    LL_FLASH_EnableIT_EOP(FLASH);
    LL_FLASH_EnablePageProgram(FLASH);                /* 进入页编程模式 */
    LL_FLASH_PageProgram(FLASH, start, src);          /* 写一页 */
    while (LL_FLASH_IsActiveFlag_BUSY(FLASH) == 1);
    while (LL_FLASH_IsActiveFlag_EOP(FLASH) == 0);
    LL_FLASH_ClearFlag_EOP(FLASH);
    LL_FLASH_DisableIT_EOP(FLASH);
    LL_FLASH_DisablePageProgram(FLASH);
    start += FLASH_PAGE_SIZE;
    src   += FLASH_PAGE_SIZE / 4;
  }
}

/**
  * @brief  空白校验：擦除后应为全 0xFFFFFFFF
  */
static void APP_FlashBlank(void)
{
  uint32_t addr = 0;
  while (addr < sizeof(DATA))
  {
    if (0xFFFFFFFF != HW32_REG(FLASH_USER_START_ADDR + addr))
      APP_ErrorHandler();
    addr += 4;
  }
}

/**
  * @brief  回读校验：与源数据一致
  */
static void APP_FlashVerify(void)
{
  uint32_t addr = 0;
  while (addr < sizeof(DATA))
  {
    if (DATA[addr / 4] != HW32_REG(FLASH_USER_START_ADDR + addr))
      APP_ErrorHandler();
    addr += 4;
  }
}

/* APP_SystemClockConfig 配置 HSI=24MHz；APP_ErrorHandler 略 */

代码分段讲解

1. 解锁与时序

Flash 上电默认加锁，写操作前必须 LL_FLASH_Unlock()。此外有个 LL 特有、极易遗漏的步骤：LL_FLASH_TIMMING_SEQUENCE_CONFIG_24M()——它按当前 HSI 频率（24MHz）配置 Flash 编程等待时序。频率配错会导致编程失败或读出错误。

2. 页擦除时序（关键）

PY32 的 Flash 只能按页擦除（不能字节擦除），擦前须全 1。LL 的擦除动作由一连串寄存器操作组成：

等 BUSY=0；
使能 EOP 标志；
LL_FLASH_EnablePageErase() 进入页擦除模式；
LL_FLASH_SetEraseAddress() 设地址；
再等 BUSY=0 与 EOP=1，清 EOP、退出擦除模式。

注意每擦一页都要重复这套时序，且地址按 FLASH_PAGE_SIZE 递增。

3. 页编程时序

写入同理：进入页编程模式 → LL_FLASH_PageProgram() 写一页 → 等 BUSY/EOP → 清标志、退出。HAL 把这套时序封在 HAL_FLASH_Program() 里，LL 则逐句暴露，你能清楚看到“模式开关”和“EOP 轮询”的存在。

4. 校验与加锁

擦除后 APP_FlashBlank() 确认全是 0xFFFFFFFF（否则说明没擦干净，进错误）。
编程后 APP_FlashVerify() 回读与源数据比对。
最后 LL_FLASH_Lock() 重新加锁，防止误操作改写代码区。

实验现象

下载程序，复位后按住用户按键触发擦写流程（或先不按，等决定时机）。
流程执行完且校验通过 → 板载绿 LED 常亮。
掉电再上电，0x08004000 处的数据依然保留（可用调试器 memory 窗口查看）。
若校验失败 → 程序停在 APP_ErrorHandler() 死循环（LED 不亮）。

常见问题

写入后读出来是 0x00000000 或乱码？
- 几乎都是漏了 LL_FLASH_TIMMING_SEQUENCE_CONFIG_24M()，或系统时钟实际频率与设置不符。
- 确认解锁 LL_FLASH_Unlock() 在写操作之前。
擦写把程序搞挂了？
- 确认 FLASH_USER_START_ADDR(0x08004000) 不在你程序的占用区间内。用超过芯片容量的地址也会失败。
想存用户配置（如校准值）？
- 把 DATA[] 换成你的结构体，注意按 4 字节对齐；读取时直接从该地址 HW32_REG() 读回。

小结

LL 写 Flash 范式：解锁 → 配时序 → 循环(等BUSY→使能页操作→设地址→等EOP→清标志)擦除/编程 → 加锁 → 校验。
相比 HAL，LL 把“页操作模式开关”“EOP 标志轮询”等底层时序完全摊开，理解更深。
“先配时序、再解锁、按页操作、最后加锁”是必须遵守的铁律。

拓展应用

把示例改成“只在数据变化时才擦写”，延长 Flash 寿命（Flash 擦写次数有限）。
配合“双备份+版本号”做掉电安全的参数存储。
用扇区擦除（FLASH_SectorEraseAndWrite 示例）适配不同颗粒。
结合 IAP（在应用中编程）做固件远程升级。