PUYA FLASH — 页擦除与写入（HAL 库）

Tue, 08 Sep 2026 14:52:21 +0800

FLASH — 页擦除与写入（HAL 库）

固件库: PY32F0xx_Firmware V1.5.0
芯片: PY32F030
源文件: PUYA/PY32F0xx_Firmware_V1.5.0/Projects/PY32F030-STK/Example/FLASH/FLASH_PageEraseAndWrite/Src/main.c

功能简介

MCU 的内部 Flash 不仅能存放程序，也可以像 EEPROM 一样保存掉电不丢失的用户数据（配置参数、校准值、计数器等）。

PY32F0xx 的 Flash 写入有铁律：只能把 1 写成 0，不能把 0 写成 1；要改数据必须先整页擦除（擦除后全为 0xFF）。本示例完整演示标准流程：

等待用户按键（避免每次上电都擦写，延长 Flash 寿命）；
解锁 Flash；
页擦除 目标地址；
校验空白（应为 0xFFFFFFFF）；
按页编程 写入 64 个 32 位数据；
加锁 Flash；
回读校验，一致则点亮绿灯。

目标地址 FLASH_USER_START_ADDR = 0x08004000（避开存放用户代码的前几页）。DATA[64] 为待写入的 256 字节测试数据。

硬件准备

PY32F030 开发板
板载 LED 与用户键（用于触发与指示）
注意：此操作会改写 Flash 内容，务必确保 0x08004000 之后没有你的程序/数据，否则可能被覆盖！

完整代码

#include "main.h"
#include "py32f030xx_Start_Kit.h"

#define FLASH_USER_START_ADDR   0x08004000   /* 用户数据起始地址（避开代码区） */

const uint32_t DATA[64] = { /* 256 字节测试数据，略 */ };

int main(void)
{
  HAL_Init();
  BSP_PB_Init(BUTTON_KEY, BUTTON_MODE_GPIO);
  BSP_LED_Init(LED_GREEN);
  APP_SystemClockConfig();          /* 系统时钟：HSI 24MHz */

  /* 等用户按键，防止每次复位都擦写 Flash */
  while (BSP_PB_GetState(BUTTON_USER)) {}

  HAL_FLASH_Unlock();               /* 1. 解锁 Flash（写/擦前必须） */
  APP_FlashErase();                 /* 2. 页擦除 */
  APP_FlashBlank();                 /* 3. 校验是否为空白（全 0xFF） */
  APP_FlashProgram();               /* 4. 按页编程写入 */
  HAL_FLASH_Lock();                 /* 5. 加锁 Flash */
  APP_FlashVerify();                /* 6. 回读校验 */

  BSP_LED_On(LED_GREEN);            /* 成功：绿灯常亮 */
  while (1) {}
}

/* 页擦除 */
static void APP_FlashErase(void)
{
  uint32_t PAGEError = 0;
  FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {0};

  EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGEERASE;     /* 页擦除 */
  EraseInitStruct.PageAddress = FLASH_USER_START_ADDR;         /* 起始页地址 */
  EraseInitStruct.NbPages     = sizeof(DATA) / FLASH_PAGE_SIZE;/* 需要擦除的页数 */
  if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK)
    APP_ErrorHandler();   /* PAGEError 为出错页地址，成功则 0xFFFFFFFF */
}

/* 按页编程：每次写一整页 FLASH_PAGE_SIZE 字节 */
static void APP_FlashProgram(void)
{
  uint32_t flash_program_start = FLASH_USER_START_ADDR;
  uint32_t flash_program_end   = FLASH_USER_START_ADDR + sizeof(DATA);
  uint32_t *src = (uint32_t *)DATA;

  while (flash_program_start < flash_program_end)
  {
    /* 注意：PY32F0xx 以“页”为编程单位（FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE） */
    if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE, flash_program_start, src) == HAL_OK)
    {
      flash_program_start += FLASH_PAGE_SIZE;  /* 源/目的指针同步推进一页 */
      src += FLASH_PAGE_SIZE / 4;
    }
  }
}

/* 校验擦除后是否为空白 */
static void APP_FlashBlank(void)
{
  uint32_t addr = 0;
  while (addr < sizeof(DATA))
  {
    if (0xFFFFFFFF != HW32_REG(FLASH_USER_START_ADDR + addr))
      APP_ErrorHandler();   /* 非空说明擦除失败 */
    addr += 4;
  }
}

/* 回读校验写入是否正确 */
static void APP_FlashVerify(void)
{
  uint32_t addr = 0;
  while (addr < sizeof(DATA))
  {
    if (DATA[addr / 4] != HW32_REG(FLASH_USER_START_ADDR + addr))
      APP_ErrorHandler();
    addr += 4;
  }
}

代码分段讲解

1. 解锁与加锁

Flash 是“危险”资源，HAL 默认禁止写。任何擦/写前必须 HAL_FLASH_Unlock()，操作完 HAL_FLASH_Lock() 重新保护。忘记解锁会直接返回错误。

2. 擦除单位：页（Page）

PY32F0xx Flash 以页为单位擦除（每页大小由 FLASH_PAGE_SIZE 定义，不同容量芯片不同，常见 1KB/2KB）。不能只擦一个字节——擦除会把整页恢复成 0xFF。

3. 编程单位

本系列 HAL_FLASH_Program 使用 FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE（按页写入），一次把一整页数据烧入。写入前该页必须已擦除。

4. 为什么要等按键

Flash 有擦写寿命（约 1 万次）。若程序一上电就擦写，反复复位会迅速耗尽寿命。正式用法应在“确实需要保存新数据”时才写，并尽量** wear leveling**（磨损均衡）。

5. 地址安全

0x08004000 要位于用户代码占用区之后。查看工程链接脚本（.ld / Option Bytes）确认你的程序大小，避免覆盖。

实验现象

按用户键后开始擦写；
成功回读一致，绿灯常亮；任一环节失败则卡在 APP_ErrorHandler（可加 LED 提示定位）。

常见问题

HAL_FLASH_Program 返回错误？
- 目标页未先擦除（仍有 0）→ 必须先 HAL_FLASHEx_Erase。
- 未调用 HAL_FLASH_Unlock()。
数据回读不对？
- 编程地址与读取地址不一致；或 src 指针推进量算错（应 FLASH_PAGE_SIZE/4 个 32 位）。
- 写入单位（FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE）与页大小不匹配。
程序跑飞/变砖？
- 写入地址覆盖了中断向量表或代码区。务必选在代码末端之后的空闲页；必要时先备份。
想存少量参数？
- 不必每次整页擦。可把一页划成“多槽”，每次找空白槽追加写，写满再整页擦（磨损均衡）。

小结

Flash 操作流程固定：解锁 → 页擦除 →（校验空白）→ 编程 → 加锁 → 回读校验。
核心规则：先擦后写、按页操作、擦除即整页 0xFF。
操作有寿命限制，不可频繁擦写，注意地址安全与磨损均衡。

拓展应用

保存用户配置（如校准系数、设备 ID、工作模式）实现掉电记忆。
实现简易“EEPROM 模拟”：一页多槽 + 磨损均衡。
配合“bootloader”做固件备份/升级（双 bank）。
存运行计数/累计时长等需掉电保留的统计量。

PUYA FLASH — FLASH_SectorEraseAndWrite

Tue, 08 Sep 2026 14:52:21 +0800

FLASH — FLASH_SectorEraseAndWrite

固件库: PY32F0xx_Firmware V1.5.0
芯片: PUYA
源文件: PUYA/PY32F0xx_Firmware_V1.5.0/Projects/PY32F030-STK/Example/FLASH/FLASH_SectorEraseAndWrite/Src/main.c

功能简介

本示例演示内部 Flash 的读写操作。MCU 的 Flash 不仅能存储程序代码，还可以当作 EEPROM 使用，保存掉电不丢失的用户数据。

完整代码

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#include "main.h"
#include "py32f030xx_Start_Kit.h"
#define FLASH_USER_START_ADDR     0x08004000

代码讲解

代码结构清晰，主要包含外设初始化配置和主循环中的功能逻辑。请结合注释理解每一步的含义。

PUYA — Flash 存储 on CLing

PUYA FLASH — 页擦除与写入（HAL 库）

FLASH — 页擦除与写入（HAL 库）

功能简介

硬件准备

完整代码

代码分段讲解

1. 解锁与加锁

2. 擦除单位：页（Page）

3. 编程单位

4. 为什么要等按键

5. 地址安全

实验现象

常见问题

小结

拓展应用

PUYA FLASH — FLASH_SectorEraseAndWrite

FLASH — FLASH_SectorEraseAndWrite

功能简介

完整代码

代码讲解